【摘要】本發(fā)明公開了一種生長在 Al2O3襯底上的復合緩沖層及制備方法,該復合緩沖層包括:依 次排列生成的AlN層、GaN層、InN : Mn層及InN過渡層。制 備方法采用MBE生長方式,首先采用高溫氮化技術(shù)在 Al2O3表面形成AlN層
【專利類型】外觀設(shè)計 【申請人】上海頂新箱包有限公司 【申請人類型】企業(yè) 【申請人地址】201500上海市金山區(qū)朱涇鎮(zhèn)亭楓公路3168號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】上海市 【申請人區(qū)縣】金山區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200630038698.2 【申請日】2006-07-11 【申請年份】2006 【公開公告號】CN300699877D 【公開公告日】2007-10-17 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號】CN300699877D 【授權(quán)公告日】2007-10-17 【授權(quán)公告年份】2007.0 【發(fā)明人】王向軍 【主權(quán)項內(nèi)容】無 【當前權(quán)利人】上海頂新箱包有限公司 【當前專利權(quán)人地址】上海市金山區(qū)亭楓公路3168號 【專利權(quán)人類型】有限責任公司(臺港澳與境內(nèi)合資) 【統(tǒng)一社會信用代碼】913100006073695416
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