【摘要】請求保護(hù)的外觀設(shè)計包含有色彩?！緦＠愋汀客庥^設(shè)計【申請人】社團(tuán)法人浦東新區(qū)工程師協(xié)會; 石淼【申請人類型】個人,機(jī)關(guān)團(tuán)體【申請人地址】201203上海市張江高科技園區(qū)郭守敬路189號【申請人地區(qū)】中國【申請人城市】上海市【申請人區(qū)
【摘要】 本發(fā)明公開的簡單實(shí)用的光子晶體光纖包含纖芯、含有空氣孔的內(nèi)包層和均勻外包層，纖芯包含中央圓形分層、第一環(huán)形分層以及第二環(huán)形分層；內(nèi)包層基底材料中有緊密分布的空氣孔層；纖芯材料可用純SiO2，第一環(huán)形分層、第二環(huán)形分層和內(nèi)包層基底材料可為摻氟SiO2；涂覆層標(biāo)稱外直徑包含125μm和80μm；特征在于：產(chǎn)生漏泄模衰減，實(shí)現(xiàn)寬帶單模特性和增大有效面積；控制漏泄模衰減，減小附加衰減和優(yōu)化色散特性；單模工作波長范圍包含1300nm到1625nm和1300nm到1700nm；在所述工作波長范圍內(nèi)，色散不大于15ps/nm－km，有效面積不小于50μm2。 （更多數(shù)據(jù)，詳見馬克數(shù)據(jù)網(wǎng)） 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】汪業(yè)衡 【申請人類型】個人 【申請人地址】200437上海市運(yùn)光路85弄1號301室 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】上海市 【申請人區(qū)縣】虹口區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200610027610.6 【申請日】2006-06-13 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101089663A 【公開公告日】2007-12-19 【公開公告年份】2007 【IPC分類號】G02B6/02 【發(fā)明人】汪業(yè)衡 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1、一種簡單實(shí)用的光子晶體光纖包含一個纖芯、一個包覆在所述纖芯 上的內(nèi)包層和一個包覆在所述內(nèi)包層上的外包層。所述纖芯包含以光纖軸線為 圓心的中央圓形分層、包覆在所述中央圓形分層上的第一環(huán)形分層以及包覆在 所述第一環(huán)形分層上的第二環(huán)形分層。所述中央圓形分層關(guān)于所述內(nèi)包層基底 材料的相對折射率差為Δ0，半徑為a；所述第一環(huán)形分層關(guān)于所述內(nèi)包層基底 材料的相對折射率差為Δ1，寬度為H1；所述第二環(huán)形分層關(guān)于所述內(nèi)包層基底 材料的相對折射率差為Δ2，寬度為H2。在所述內(nèi)包層基底材料中分布i＝1～3 層空氣孔；分布在第i個圓周上的所述第i層空氣孔直徑為di，圓心之間距 離為Λi；所述第i個圓周相對于所述第i-1個圓周的徑向位移為H3i，所述第 1個圓周相對于所述第二環(huán)形分層外半徑的徑向位移為H3i；所述內(nèi)包層寬度為 H4；所述中央圓形分層基本上是α折射率剖面，當(dāng)α≥100時所述α折射率剖面 實(shí)際上成為階躍型折射率剖面；所述第一環(huán)形分層、所述第二環(huán)形分層和所述內(nèi) 包層基底材料的折射率基本上都是均勻的；所述外包層由純SiO2組成，折射率 是均勻的。所述光纖的特征在于： 所述第一環(huán)形分層Δ1＜0； 所述第二環(huán)形分層Δ2＞0； 所述內(nèi)包層i＝1～3，H3i＝0.50～4.00μm，di＜1.0μm，Λi＜1.5di。。來源：馬 克 數(shù) 據(jù) 網(wǎng) 【當(dāng)前權(quán)利人】汪業(yè)衡 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】上海市運(yùn)光路85弄1號301室 【被引證次數(shù)】4 【被他引次數(shù)】4.0 【家族被引證次數(shù)】4
未經(jīng)允許不得轉(zhuǎn)載：http://m.duba2008.cn/1775403141.html
喜歡就贊一下
