【摘要】本實用新型提供了一種便攜式多用爐具，現(xiàn)在使 用的爐具多是整體的，即便是組合的也存在體積大、 價格高的不足，本實用新型采用組合式結(jié)構(gòu)，具有開 啟、扳手功能的支腳，通過從支腳中部沖下的三角形 板，同連接栓連在一起，將噴嘴、爐盤、火網(wǎng)分別
【摘要】 本發(fā)明是一種制備高蒸汽壓組分的III-V族半導體化合物薄膜的射頻濺射方法。為使濺射膜有較好化學計量比，本發(fā)明采用合成III-V族化合物塊錠或碎料和相應的高蒸汽壓五族元素材料一起作為濺射靶并置于濺射室下方。本發(fā)明方法可在不同的襯底溫度下，得到單晶，多晶或非晶的III-V族半導體化合物薄膜。 【專利類型】發(fā)明授權(quán) 【申請人】中國科學院上海冶金研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】上海市長寧路865號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】上海市 【申請人區(qū)縣】長寧區(qū) 【申請?zhí)枴緾N85100504.7 【申請日】1985-04-01 【申請年份】1985 【公開公告號】CN1012741B 【公開公告日】1991-06-05 【公開公告年份】1991 【授權(quán)公告號】CN1012741B 【授權(quán)公告日】1991-06-05 【授權(quán)公告年份】1991.0 【IPC分類號】C23C14/34; H01L21/203; H01L21/02 【發(fā)明人】黎錫強 【主權(quán)項內(nèi)容】1.一種制備有高蒸氣壓組分的InP半導體薄膜的射頻濺射方法， 其特征在于用InP塊錠或碎料和少量紅磷一起作為濺射靶置于濺射 室下方，襯底置于濺射室上方，在1-5×10-2乇氬氣壓強及230 -350℃襯底溫度下進行濺射沉積。 【當前權(quán)利人】中國科學院上海冶金研究所 【當前專利權(quán)人地址】上海市長寧路865號
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