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高光電轉(zhuǎn)換效率的P-N結(jié)硅光電二極管

時(shí)間:2026-04-03    作者:admin 點(diǎn)擊: ( 1 ) 次

【摘要】 本發(fā)明涉及一種具有高光電轉(zhuǎn)換效率的P-N 結(jié)硅光電二極管器件,其特點(diǎn)是在P-N結(jié)附近的上 方或下方存在一具有高熱穩(wěn)定性的缺陷層。由于缺 陷層能吸收更多的光而產(chǎn)生更多的光生載流子,從而 使這種P-N結(jié)硅二極管產(chǎn)生更大的光生電流,實(shí)現(xiàn) 高的光電轉(zhuǎn)換效率,提高光探測器的靈敏度和太陽能 電池的效率。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】100083北京市912信箱 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區(qū)縣】海淀區(qū) 【申請?zhí)枴緾N91103787.X 【申請日】1991-06-08 【申請年份】1991 【公開公告號】CN1056188A 【公開公告日】1991-11-13 【公開公告年份】1991 【授權(quán)公告號】CN1019721B 【授權(quán)公告日】1992-12-30 【授權(quán)公告年份】1992.0 【IPC分類號】H01L31/068; H01L31/103; H01L31/18 【發(fā)明人】李建明 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1、一種用于光電轉(zhuǎn)換的p-n結(jié)硅光電二極管,其特征在于在硅襯底表面附近形成的p-n結(jié)的上方或下方存在一具有高熱穩(wěn)定性的缺陷層。 來自馬-克-數(shù)-據(jù) 【當(dāng)前權(quán)利人】北京桑達(dá)太陽技術(shù)有限公司 【統(tǒng)一社會信用代碼】12100000400012385U 【被引證次數(shù)】8.0 【被自引次數(shù)】5.0 【被他引次數(shù)】3.0 【家族被引證次數(shù)】8.0

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