【摘要】本實用新型是一種用于青少年學生預防近視眼 的寫字板。其特征在于：利用桌面與桌邊的90°直 角，直立的T型支板與平置的書寫板呈90°直角，并 與桌面、桌邊的90°直角吻合，直立的T型支板頂在 坐于桌前的學生脖子下，強制其頭部不得低俯于
【摘要】 本發(fā)明涉及一種光化學氣相淀積(光CVD)技 術(shù)。該技術(shù)采用紫外光汞敏化原理分解反應(yīng)氣體，在 低于200℃條件下，通過硅烷(SiH4)-笑氣(N2O)及硅 烷(SiH4)-氨氣(NH3)混合氣體的光化學反應(yīng)分別淀 積SiO2、SiN薄膜。與國外同類技術(shù)相比，具有薄膜 全面特性好，特別是薄膜介電強度高，應(yīng)力小，腐蝕速 率低，淀積面積大，淀積均勻性好和光量子效率高等 優(yōu)點。用本發(fā)明在低溫條件下淀積的SiO2、SiN介質(zhì) 膜可對半導體器件進行表面鈍化，介質(zhì)隔離和擴散掩 蔽。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】西安電子科技大學 【申請人類型】學校 【申請人地址】710071陜西省西安市太白路2號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】西安市 【申請人區(qū)縣】碑林區(qū) 【申請?zhí)枴緾N90101490.7 【申請日】1990-03-17 【申請年份】1990 【公開公告號】CN1055014A 【公開公告日】1991-10-02 【公開公告年份】1991 【IPC分類號】C23C16/34; C23C16/40; C23C16/42 【發(fā)明人】孫建成 【主權(quán)項內(nèi)容】1、一種低溫光化學氣相淀積二氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiN)薄膜的技術(shù)，是采用紫外光汞敏化原理分解反應(yīng)氣體，在低溫條件下通過混合氣體的光化學反應(yīng)分別淀積二氧化硅(SiO2)及氮化硅(SiN)薄膜，其特征在于： a.淀積SiO2，SiN薄膜的工藝條件分別為： SiO2：淀積溫度：100-200℃ 淀積壓力：40-60 Pa 氣體流量：SiH4(高純，濃度5%，充氮)500ml/min， N2O(高純)750ml/min SiN：淀積溫度：150-200℃ 淀積壓力：40-50Pa 氣體流量：SiH4(高純，濃度5%，充氮)500ml/min NH3(電子純)780ml/min b.淀積SiO2及SiN薄膜的工藝過程是： 先將半導體芯片放在樣品臺上，再關(guān)閉反應(yīng)室，抽真空至0.1Pa，同時加熱襯底到所需設(shè)定溫度，然后接通低壓汞燈進行光照，最后向反應(yīng)室放入高純氮氣，待與大氣壓平衡后打開反應(yīng)室取片，測量淀積薄膜的主要特性。 【當前權(quán)利人】西安電子科技大學 【當前專利權(quán)人地址】陜西省西安市太白路2號 【統(tǒng)一社會信用代碼】121000004352307294 【被引證次數(shù)】17.0 【被他引次數(shù)】17.0 【家族被引證次數(shù)】17.0
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