【摘要】本實(shí)用新型涉及一種差壓式噴灌施肥的裝置，由 文丘里管1，肥料罐9和連接管件構(gòu)成，文丘里管1 和肥料罐9通過進(jìn)水管12和出水管13連接起來。 該裝置具有施肥均勻，能夠減少肥料損失，無需附加 動力，價格便宜，且無故障，安裝方便，操作簡便
【摘要】 本發(fā)明為高臨界溫度(90K)超導(dǎo)薄膜制備方法。采用超高真空系統(tǒng)，單個化合物靶，高氣壓低電壓直流磁控濺射、原位外延生長、原位低溫?zé)崽幚碇苽涔に?，用于制備MBa2Cu3O7型高臨界溫度氧化物超導(dǎo)薄膜(M＝Y(jié)，Eu，Gd，Tb，Dy，Ho，Er，Tm，Yb)。零電阻臨界溫度高達(dá)92.7K，77K臨界電流密度高達(dá)3.6MA/cm2。這種薄膜可用于制備在液氮溫度下工作的超導(dǎo)電子器件和超導(dǎo)體-半導(dǎo)體混合電子器件。 【專利類型】發(fā)明授權(quán) 【申請人】中國科學(xué)院物理研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】100080北京市603信箱 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區(qū)縣】海淀區(qū) 【申請?zhí)枴緾N90101675.6 【申請日】1990-03-28 【申請年份】1990 【公開公告號】CN1015034B 【公開公告日】1991-12-04 【公開公告年份】1991 【授權(quán)公告號】CN1015034B 【授權(quán)公告日】1991-12-04 【授權(quán)公告年份】1991.0 【IPC分類號】H01B12/06; H01L39/24; H01L39/12 【發(fā)明人】王瑞蘭; 李宏成; 易懷仁 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1.一種高臨界溫度超導(dǎo)薄膜的制備方法，只使用一個燒結(jié)的圓盤形化合物 靶，基片可采用單晶片或多晶片，按一定條件進(jìn)行直流磁控濺射、熱處 理的制備工藝，其特征是： a.外延生長薄膜條件： Ar，O2混合氣體以30°-80°角吹向基片平面， 基片溫度在700-850℃間， 濺射電壓100-150V， 電流在0.3-1A之間， 薄膜生長速率為3-10nm/min。 b、低溫原位熱處理?xiàng)l件： 薄膜生長完成后，真空室內(nèi)充以5-100千帕的氧氣， 同時基片溫度降到380-500℃間，保持3-30分鐘。 （更多數(shù)據(jù)，詳見馬克數(shù)據(jù)網(wǎng)） 【當(dāng)前權(quán)利人】中國科學(xué)院物理研究所 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】北京市603信箱 【統(tǒng)一社會信用代碼】12100000400012174C 【引證次數(shù)】4.0 【自引次數(shù)】2.0 【他引次數(shù)】2.0 【家族引證次數(shù)】4.0 【家族被引證次數(shù)】4.0
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