【摘要】一種全自動(dòng)無(wú)時(shí)限供電裝置，包括變壓整流電 路，不間斷電源UPS，蓄電瓶、聲光報(bào)警電路、發(fā)電裝 置及啟動(dòng)電路、供電方式轉(zhuǎn)換電路、檢測(cè)電路和停機(jī) 電路，自動(dòng)完成電網(wǎng)供電和裝置供電的轉(zhuǎn)換，切換時(shí) 間為零，穩(wěn)頻穩(wěn)壓，保證電網(wǎng)停電后不破壞或丟
【摘要】 本發(fā)明屬一種在半導(dǎo)體襯底表面選擇性生長(zhǎng)金剛石膜的方法。本方法利用了在不同材料表面金剛石成核密度具有很大差異這一性質(zhì)，實(shí)現(xiàn)了金剛石膜的選擇性生長(zhǎng)。主要工藝過(guò)程為研磨，生長(zhǎng)隔離膜，光刻，制備金剛石膜，化學(xué)腐蝕等。所制備的金剛石膜具有質(zhì)量高，選擇性生長(zhǎng)好，不破壞襯底等優(yōu)點(diǎn)，而且制備參數(shù)易于控制，工藝簡(jiǎn)單，成品率高。本方法制備的金剛石膜可應(yīng)用于大規(guī)模集成電路，微波器件，光電器件等半導(dǎo)體器件的制備。 【專利類型】發(fā)明授權(quán) 【申請(qǐng)人】吉林大學(xué) 【申請(qǐng)人類型】學(xué)校 【申請(qǐng)人地址】吉林省長(zhǎng)春市朝陽(yáng)區(qū)解放大路83號(hào) 【申請(qǐng)人地區(qū)】中國(guó) 【申請(qǐng)人城市】長(zhǎng)春市 【申請(qǐng)人區(qū)縣】朝陽(yáng)區(qū) 【申請(qǐng)?zhí)枴緾N89107565.8 【申請(qǐng)日】1989-09-29 【申請(qǐng)年份】1989 【公開(kāi)公告號(hào)】CN1013965B 【公開(kāi)公告日】1991-09-18 【公開(kāi)公告年份】1991 【授權(quán)公告號(hào)】CN1013965B 【授權(quán)公告日】1991-09-18 【授權(quán)公告年份】1991.0 【IPC分類號(hào)】C23C16/04; H01L21/31; C23C16/26; H01L21/02 【發(fā)明人】金曾孫; 于三; 呂憲義; 鄒廣田 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1.一種在半導(dǎo)體材料襯底表面選擇性生長(zhǎng)金 剛石膜的方法，首先對(duì)襯底表面進(jìn)行研磨，其特征 在于研磨之后，進(jìn)行生長(zhǎng)隔離膜、光刻、制備金剛 石膜、酸腐蝕等工藝過(guò)程， ——所說(shuō)的生長(zhǎng)隔離膜，是在研磨過(guò)的半導(dǎo) 體襯底表面生長(zhǎng)另一種材料的薄膜，以便造成金剛 石成核密度隨材料不同而有差異的條件； ——所說(shuō)的光刻是用光刻腐蝕法在襯底表面 的隔離膜上開(kāi)出“窗口”，使需要生長(zhǎng)金剛石膜的 部位裸露出研磨過(guò)的半導(dǎo)體襯底表面； ——所說(shuō)的制備金剛石膜是以CH4和H2作原 料氣體用熱解化學(xué)氣相沉積法制備金剛石膜； ——所說(shuō)的酸腐蝕，是在生長(zhǎng)金剛石膜之后， 用酸溶液除去隔離膜及生長(zhǎng)于其上的分立的金剛石 顆粒。 【當(dāng)前權(quán)利人】吉林大學(xué) 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】吉林省長(zhǎng)春市朝陽(yáng)區(qū)解放大路83號(hào) 【統(tǒng)一社會(huì)信用代碼】121000004232040648 【家族被引證次數(shù)】4.0
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