【摘要】本發(fā)明屬對放射性污染物的處理。為克服已有洗消劑洗消效果不高且對人體皮膚有副作用的問題，特提供中藥系列放射性污染洗消劑，它是由中草藥的絡(luò)合劑或中草藥絡(luò)合劑及表面活性劑所組成的，它分成洗人的和洗物的兩種。其絡(luò)合劑中含皂甙、海藻酸鈉及明膠
【摘要】 一種對具有單層襯底結(jié)構(gòu)的高壓半導(dǎo)體硅管制造方法的改進(jìn)，通過背面摻雜等工藝，在襯底高阻層背面形成低阻薄層，有效地減小了接觸電阻，增加了功能，簡化了工藝，減少了加工中的碎片率，制成一種具有低阻薄層襯底結(jié)構(gòu)的新型高壓半導(dǎo)體硅管。 【專利類型】發(fā)明授權(quán) 【申請人】北京市半導(dǎo)體器件研究所 【申請人類型】企業(yè) 【申請人地址】北京市昌平縣沙河鎮(zhèn) 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區(qū)縣】昌平區(qū) 【申請?zhí)枴緾N89103536.2 【申請日】1989-06-02 【申請年份】1989 【公開公告號】CN1014570B 【公開公告日】1991-10-30 【公開公告年份】1991 【授權(quán)公告號】CN1014570B 【授權(quán)公告日】1991-10-30 【授權(quán)公告年份】1991.0 【IPC分類號】H01L21/302; H01L21/265; H01L21/24; H01L21/324; H01L21/02 【發(fā)明人】李恩敏 【主權(quán)項內(nèi)容】1、一種高壓硅管的制作方法，該方法包括下列工藝步驟： a、制備高阻硅單晶片襯底； b、用常規(guī)工藝在所說的高阻襯底上制造管芯； c、在高阻襯底制有管芯的一面--正面的管芯之間劃出片槽； d、用粘接劑將已制有管芯的單晶片與底襯托粘接在一起，形成復(fù)合 片； e、對復(fù)合片的高阻襯底未制作管芯的一面--背面進(jìn)行研磨、減薄； f、摻雜。 其特征在于，在步驟d中，是將已制有管芯的單晶片劃出劃片槽的正 面與底托片粘接在一起，即步驟d是在步驟c之后進(jìn)行的；在步驟f中， 摻雜是對已被減薄的帶有管芯的高阻襯底的背面進(jìn)行的。 【當(dāng)前權(quán)利人】北京市半導(dǎo)體器件研究所 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】北京市昌平縣沙河鎮(zhèn) 【專利權(quán)人類型】全民所有制 【統(tǒng)一社會信用代碼】911101144006151941 【引證次數(shù)】3.0 【自引次數(shù)】3.0 【家族引證次數(shù)】3.0 【家族被引證次數(shù)】3.0
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