【摘要】本發(fā)明涉及一種甲烷傳感器—低電流或低功耗催化元件及其制造方法，該產(chǎn)品由基片、鉑膜電阻、隔離層、引線構(gòu)成管芯，外覆r晶形的Al2O3載體及催化劑的黑元件與管腳、管座構(gòu)成。該制造方法主要采用濺射工藝在基片上形成鈦過渡層與鉑膜電阻，再經(jīng)熱
【摘要】 本發(fā)明是一種利用低氣壓弧光等離子體對(duì)金屬工件滲入特定元素，以優(yōu)化工件表面性能的技術(shù)和設(shè)備。它采用陰極電弧蒸發(fā)器作為離子滲金屬時(shí)的蒸發(fā)源、離化源和加熱源，產(chǎn)生高密度的金屬離子流，同時(shí)對(duì)工件施加高負(fù)偏壓，以吸引金屬離子流加速到達(dá)工件，將工件加熱至高溫，離子滲入其表面。如可獲得鎢、鉬、鎳、鉻、鈦、鋁、鋯、鉭、鈮等金屬滲層以及它們與碳、氮、氧的化合物滲鍍層，提高滲金屬效率和質(zhì)量。 數(shù)據(jù)由馬 克 數(shù) 據(jù)整理 【專利類型】發(fā)明授權(quán) 【申請(qǐng)人】北京聯(lián)合大學(xué)機(jī)械工程學(xué)院機(jī)電技術(shù)開發(fā)服務(wù)公司 【申請(qǐng)人類型】企業(yè) 【申請(qǐng)人地址】北京市朝陽區(qū)白家莊西里 【申請(qǐng)人地區(qū)】中國 【申請(qǐng)人城市】北京市 【申請(qǐng)人區(qū)縣】朝陽區(qū) 【申請(qǐng)?zhí)枴緾N88100549.5 【申請(qǐng)日】1988-02-11 【申請(qǐng)年份】1988 【公開公告號(hào)】CN1015003B 【公開公告日】1991-12-04 【公開公告年份】1991 【授權(quán)公告號(hào)】CN1015003B 【授權(quán)公告日】1991-12-04 【授權(quán)公告年份】1991.0 【IPC分類號(hào)】C23C10/00; C23C14/32 【發(fā)明人】王福貞; 周友蘇; 劉文郁 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1.在真空高溫狀態(tài)下對(duì)工件(10)進(jìn)行等離子 滲金屬的技術(shù)，其特征在于：采用陰極電弧蒸發(fā)器 (14)作離子滲金屬時(shí)的蒸發(fā)源，離化源和加熱 源，利用低氣壓弧光放電產(chǎn)生高密度金屬離子流， 在工作時(shí)陰極電弧蒸發(fā)器(14)處于水冷卻狀 態(tài)，它產(chǎn)生低氣壓場(chǎng)致發(fā)射型弧光放電，電壓范圍 是16～30V，放電電流范圍是50～200A，同時(shí)對(duì) 工件(10)提高負(fù)偏壓，使其工作負(fù)偏壓范圍在 500～2000V內(nèi)，工作溫度范圍800～1400℃，提 高金屬離子到達(dá)工件(10)的能量，真空室的工 作氣壓范圍是0.00133322-13.3322帕斯卡，以此 對(duì)被處理工件(10)表面形成滲層。 【當(dāng)前權(quán)利人】北京聯(lián)合大學(xué)機(jī)械工程學(xué)院機(jī)電技術(shù)開發(fā)服務(wù)公司 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】北京市朝陽區(qū)白家莊西里 【引證次數(shù)】1.0 【被引證次數(shù)】1.0 【他引次數(shù)】1.0 【被他引次數(shù)】1.0 【家族引證次數(shù)】1.0 【家族被引證次數(shù)】6.0
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